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                技术支持:(+86)028-61962718

                GaN功率放大器采用100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。

                产品型号 工作频率(GHz)增益(dB)P1dB(dBm)Psat(dBm)供电(V)芯片面积(mm*mm)封装形式 详情
                YGPA06-3337C1 33 - 37203438.5+12.0V@2200mA2.50×3.00Die 点击下载
                YGPA08-1518C1 15 - 18223840.7+12.0V@2000mA2.50×3.00Die 点击下载
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