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GaN功率放大器
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GaN功率放大器采用100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。
| 产品型号 | 工作频率(GHz) | 增益(dB) | P1dB(dBm) | Psat(dBm) | 供电(V) | 芯片面积(mm*mm) | 封装形式 | 详情 |
| YGPA06-3337C1 | 33 - 37 | 20 | 34 | 38.5 | +12.0V@2200mA | 2.50×3.00 | Die | 点击下载 |
| YGPA08-1518C1 | 15 - 18 | 22 | 38 | 40.7 | +12.0V@2000mA | 2.50×3.00 | Die | 点击下载 |
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